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IRFZ44RPBF、NTE2395、STP36NF06L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44RPBF NTE2395 STP36NF06L

描述 VISHAY  IRFZ44RPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 4 VNTE ELECTRONICS  NTE2395  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.028 Ω 0.028 Ω 0.032 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 150 W 70 W

阈值电压 4 V 4 V 2.5 V

输入电容 1900pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 30.0 A

上升时间 110 ns 110 ns 80 ns

下降时间 92 ns 92 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 - 60.0V (min) 60.0 V

输入电容(Ciss) - 1900pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 150000 mW 70W (Tc)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 30.0 A

额定功率 - - 70 W

通道数 - - 1

栅源击穿电压 - - ±18.0 V

额定功率(Max) - - 70 W

长度 10.51 mm - 10.4 mm

高度 15.49 mm - 9.15 mm

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

宽度 - - 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tube - Tube

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 - 85412900951 -