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BZT52H-C24、BZT52H-C24,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C24 BZT52H-C24,115

描述 单齐纳二极管的SOD123F包 Single Zener diodes in a SOD123F package稳压二极管 BZT52H-C24,115 BT SOD-123F

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 SOD-123F SOD-123F

容差 - ±5 %

正向电压 - 900mV @10mA

耗散功率 375 mW 375 mW

测试电流 - 5 mA

稳压值 24 V 24 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 375 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 375 mW

封装 SOD-123F SOD-123F

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 - 20.2 mV/K

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR -