IXFK24N100Q3、IXFX24N100Q3、IXTX24N100对比区别

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型号 IXFK24N100Q3 IXFX24N100Q3 IXTX24N100

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N-Channel 1000V 24A 400mΩ Through Hole Power Mosfet - PLUS-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 1 kW 1000W (Tc) 568 W

漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1000 V

上升时间 24 ns 24 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 7200pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 14 ns 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000W (Tc) 1000W (Tc) 568W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.44 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

阈值电压 6.5 V - -

连续漏极电流(Ids) 24A 24A -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 19.96 mm 16.13 mm -

宽度 5.13 mm 5.21 mm -

高度 26.16 mm 21.34 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -