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CY62126EV30LL-45BVXI、IS62WV6416BLL-55BLI、CY62126EV30LL-45BVXIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62126EV30LL-45BVXI IS62WV6416BLL-55BLI CY62126EV30LL-45BVXIT

描述 CY62126EV30 系列 1 Mb (64 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-481Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K X 16,55ns,2.5V 3.6V,48 Ball MBGA (6x8 Mm), LeadfreeCY62126EV30 系列 1 Mb (64 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-48

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 BGA-48 VFBGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 11 mA 5 mA -

位数 16 16 16

存取时间 45 ns 55 ns 45 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B 1000000 B

存取时间(Max) 45 ns 55 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

时钟频率 45.0 GHz - 45.0 GHz

针脚数 8 - -

封装 VFBGA-48 BGA-48 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99