SI2365EDS-T1-GE3、TP0101K-T1-GE3、TP0101K-T1-E3对比区别

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型号 SI2365EDS-T1-GE3 TP0101K-T1-GE3 TP0101K-T1-E3

描述 P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorP通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-ThresholdVISHAY  TP0101K-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 TO-236

安装方式 Surface Mount - -

漏源极电阻 0.0265 Ω 0.42 Ω 420 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.7 W 350 mW 350 mW

上升时间 21 ns 30 ns -

下降时间 14 ns 38 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.7 W - -

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 700 mV

栅电荷 - - 1.40 nC

漏源极电压(Vds) - - 20 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) - - -580 mA

封装 SOT-23-3 SOT-23 TO-236

长度 3.04 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.02 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -