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CY62136EV30LL-45BVXI、CY62136VLL-70BAIT、IS62WV12816BLL-55BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62136EV30LL-45BVXI CY62136VLL-70BAIT IS62WV12816BLL-55BLI-TR

描述 CY62136EV30 系列 2 Mb (128 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态 RAM - VFBGA-48SRAM Chip Async Single 3V 2M-bit 128K x 16 70ns 48Pin FBGA T/R2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K X 16,55ns,2.5V 3.6V,48 Ball MBGA (6x8 Mm), Leadfree

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 VFBGA-48 TFBGA BGA-48

电源电压(DC) 3.60 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 20 mA - 3 mA

位数 16 - 16

存取时间 45 ns - 55 ns

内存容量 - - 2000000 B

存取时间(Max) 45 ns - 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V - 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.2 V - -

封装 VFBGA-48 TFBGA BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - EAR99