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1N5525A、JANTX1N5525B、JAN1N5525B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5525A JANTX1N5525B JAN1N5525B

描述 DO-35 6.2V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 DO-35 DO-35 -

耗散功率 400 mW 500 mW -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete