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KSH31C、MJD31C-13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH31C MJD31C-13

描述 通用放大器低速切换应用程序 General Purpose Amplifier Low Speed Switching ApplicationsMJD31C Series 100V 3A 1.5W NPN High Voltage Transistor - TO252 (DPAK)

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 DPAK TO-252-3

频率 - 3 MHz

额定功率 - 1.56 W

极性 NPN NPN

耗散功率 - 3.9 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 40 @3A, 4V

额定功率(Max) - 1.56 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1500 mW

长度 - 6.8 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

封装 DPAK TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC