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AS4C64M8D1-5BCN、MT46V64M8CY-5B L:J、MT46V64M8CY-5B L:J TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C64M8D1-5BCN MT46V64M8CY-5B L:J MT46V64M8CY-5B L:J TR

描述 Ic Sdram 512Mbit 200MHz 60bgaDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60Pin FBGAIc Sdram 512Mbit 200MHz 60fbga

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 -

封装 TFBGA-60 FBGA-60 TFBGA-60

位数 - 8 -

存取时间 700 ps 700 ps 700 ps

存取时间(Max) - 0.7 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V

时钟频率 200 MHz - -

高度 - 0.8 mm -

封装 TFBGA-60 FBGA-60 TFBGA-60

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tray Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅