IRFB4115GPBF、IRFB4115PBF对比区别
型号 IRFB4115GPBF IRFB4115PBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFB4115PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0093 ohm, 20 V, 5 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 380 W 380 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0093 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 380 W 380 W
阈值电压 - 5 V
输入电容 - 5270 pF
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
漏源击穿电压 - 150 V
连续漏极电流(Ids) 104A 104A
上升时间 73 ns 73 ns
输入电容(Ciss) 5270pF @50V(Vds) 5270pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 380 W
下降时间 39 ns 39 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 380W (Tc) 380000 mW
长度 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm
高度 16.51 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17