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M36DR432B100ZA6C、M36DR432BD10ZA6T、M36DR432B100ZA6T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M36DR432B100ZA6C M36DR432BD10ZA6T M36DR432B100ZA6T

描述 32兆位的2Mb X16 ,双行,页闪存和4兆位256K x16的SRAM ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product32兆位的2Mb X16 ,双行,页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product32兆位的2Mb X16 ,双行,页闪存和4兆位256K x16的SRAM ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类

基础参数对比

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 66 -

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

长度 - 12 mm -

宽度 - 8 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant