BC447、BC447G对比区别
描述 高电压晶体管 High Voltage Transistors双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300mA 80V NPN
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-226-3 TO-226-3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V
额定电流 300 mA 300 mA
极性 PNP PNP
耗散功率 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 0.3A 0.3A
最小电流放大倍数(hFE) 50 @2mA, 5V 50 @2mA, 5V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
增益频宽积 200 MHz -
长度 5.21 mm 5.21 mm
宽度 4.19 mm 4.19 mm
高度 7.87 mm 7.87 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Bulk Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free