RD3P175SNTL1、RSD175N10TL对比区别

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型号 RD3P175SNTL1 RSD175N10TL

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 2.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.075 Ω 75 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 20 W 20 W

阈值电压 2.5 V 1 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V

连续漏极电流(Ids) - 17.5A

上升时间 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 950pF @25V(Vds) 950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 20 W

下降时间 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 20W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free