IXFV52N30P、IXTH50N30、IXFH52N30P对比区别

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型号 IXFV52N30P IXTH50N30 IXFH52N30P

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin(3+Tab) TO-247N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 400 W 400 W 400 W

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

输入电容(Ciss) 3490pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 66 mΩ 65 mΩ -

极性 N-Channel - -

输入电容 3.49 nF - -

栅电荷 110 nC - -

漏源击穿电压 300 V 300 V -

连续漏极电流(Ids) 52.0 A - -

上升时间 22 ns 33 ns -

额定功率(Max) 400 W - -

下降时间 20 ns 17 ns -

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free