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CY7C1352G-133AXC、CY7C1352G-133AXI、CY7C1352F-133AC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1352G-133AXC CY7C1352G-133AXI CY7C1352F-133AC

描述 SRAM,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)4兆位( 256K ×18 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 4-Mbit (256K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture4兆位( 256Kx18 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 4-Mbit (256Kx18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 100 100

封装 TQFP-100 TQFP-100 TQFP-100

频率 133 MHz - -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 225 mA - -

针脚数 100 - -

时钟频率 133 MHz - 133MHz (max)

位数 18 18 -

存取时间 4 ns - 133 µs

内存容量 500000 B - 4500000 B

存取时间(Max) 4 ns 4 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3.135 V - -

长度 20 mm - -

宽度 14 mm - -

高度 1.4 mm 1.4 mm -

封装 TQFP-100 TQFP-100 TQFP-100

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 3A991.b.2.a - -