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1N4122-1TR、JANTXV1N4122D、1N4122-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4122-1TR JANTXV1N4122D 1N4122-1

描述 DO-35 36V 0.5W(1/2W)硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODESZener 1.5W DIODE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 -

耗散功率 500 mW 500 mW -

稳压值 36 V 36 V -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active