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AP1117E18G-U、AZ1117H-1.8TRE1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AP1117E18G-U AZ1117H-1.8TRE1

描述 IC REG LDO BIPO 1A 1.8V SOT223LOW DROPOUT REGULATOR

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) BCD Semiconductor

分类 稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 SOT-223 SOT-223

输出接口数 1 -

输入电压(DC) 18.0V (max) -

输出电压 1.8 V -

输出电流 1 A -

耗散功率 15000 mW -

静态电流 5 mA -

跌落电压 1.3V @1A -

输入电压(Max) 18 V -

输入电压(Min) 6.4 V -

输出电流(Max) 1 A -

工作温度(Max) 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

耗散功率(Max) 15000 mW -

输入电压 18V ~ 6.4V -

精度 - -

封装 SOT-223 SOT-223

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Not Recommended Unknown

包装方式 Tube, Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR