SIHA12N50E-E3、SPA12N50C3XKSA1、IPA50R350CP对比区别

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型号 SIHA12N50E-E3 SPA12N50C3XKSA1 IPA50R350CP

描述 VISHAY  SIHA12N50E-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3XKSA1, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.33 Ω 0.34 Ω 0.35 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 32 W 33 W 32 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 560 V 550 V

漏源击穿电压 550 V - 500 V

上升时间 16 ns 8 ns 14 ns

下降时间 12 ns 8 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

连续漏极电流(Ids) - 11.6 A 10.0 A

额定电压(DC) - 560 V -

额定电流 - 11.6 A -

输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 33W (Tc) -

长度 10.41 mm 10.65 mm 10.65 mm

宽度 4.7 mm 4.85 mm 4.85 mm

高度 15.49 mm 16.15 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17