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PHP101NQ04T、PSMN8R0-40PS,127、PHP101NQ04T,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP101NQ04T PSMN8R0-40PS,127 PHP101NQ04T,127

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETNexperia Si N沟道 MOSFET PSMN8R0-40PS,127, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

极性 N-CH - -

耗散功率 157 W 86 W 157 W

输入电容 2.02 nF 1262 pF -

栅电荷 36.6 nC - -

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A - -

上升时间 51 ns 4.7 ns 51 ns

下降时间 33 ns 4.7 ns 33 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

输入电容(Ciss) - 1262pF @12V(Vds) 2020pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 86 W 157 W

耗散功率(Max) - 86W (Tc) 157W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 7.6 mΩ -

漏源击穿电压 - 40 V -

长度 10.3 mm 10.3 mm -

宽度 4.7 mm 4.7 mm -

高度 9.4 mm 16 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)