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VND830SP、VND830SPTR-E、VND830SP-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND830SP VND830SPTR-E VND830SP-E

描述 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVERVND830SP-E系列 36 V 7 mA 双通道 高边驱动器 - PowerSO-10STMICROELECTRONICS  VND830SP-E  双路驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30µs延迟, SOIC-10

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 开关电源FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 12 12 10

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 SOIC-10

电源电压(DC) 36.0V (max) - 36.0V (max)

输出接口数 2 2 2

输出电流 - 6 A 6 A

供电电流 40.0 mA 0.012 mA 0.012 mA

针脚数 - 10 10

耗散功率 - 73.5 W 73.5 W

输出电流(Max) 6 A 6 A 6 A

输入数 - 2 2

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 73500 mW 73500 mW

电源电压 5.5V ~ 36V 5.5V ~ 36V 5.5V ~ 36V

电源电压(Max) - 36 V 36 V

电源电压(Min) - 5.5 V 5.5 V

输出电流(Min) - 9 A -

输入电压 - 13 V -

通道数 2 - -

漏源极电阻 120 mΩ - -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 SOIC-10

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99