STB24N65M2、STP24N65M2、TK17J65U对比区别

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型号 STB24N65M2 STP24N65M2 TK17J65U

描述 D2PAK N-CH 650V 16AN-沟道 650 V 0.23 Ω 150 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220TO-3PN N-CH 650V 17A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-3

漏源极电阻 0.23 Ω - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 150 W 150 W -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 16A 16A 17A

上升时间 9.5 ns 9.5 ns -

输入电容(Ciss) 1060pF @100V(Vds) 1060pF @100V(Vds) -

下降时间 25.5 ns 25.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) -

输入电容 - 1060 pF -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -