BSZ019N03LS、BSZ0901NSATMA1对比区别
描述 INFINEON BSZ019N03LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 PG-TSDSON-8-FL TSDSON-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0016 Ω 0.0017 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 69 W 2.1 W
阈值电压 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 22A 25A
上升时间 6.8 ns 7.2 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @15V(Vds) 2600pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.1 W -
下降时间 4.6 ns 4.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2100 mW
额定功率 - 50 W
长度 3.4 mm 3.3 mm
宽度 3.4 mm 3.3 mm
高度 1.1 mm 1.1 mm
封装 PG-TSDSON-8-FL TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -