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IPA50R250CP、IPP50R250CP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA50R250CP IPP50R250CP

描述 INFINEON  IPA50R250CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 VCoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 -

极性 N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13A

上升时间 14 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1420pF @100V(Vds) 1420pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 33 W 114 W

下降时间 11 ns 11 ns

通道数 1 -

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.22 Ω -

耗散功率 33 W -

阈值电压 3 V -

漏源击穿电压 500 V -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 33W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.65 mm -

宽度 4.85 mm -

高度 16.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -