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GS8342S36BGD-300、GS8342S36BGD-300I、GS8342S36BD-300I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8342S36BGD-300 GS8342S36BGD-300I GS8342S36BD-300I

描述 DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 36 36MSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA BGA-165 LBGA

封装 LBGA BGA-165 LBGA

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

工作温度 - -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃