ULN2001ADR、ULN2001D1013TR、TD62001AFG对比区别

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型号 ULN2001ADR ULN2001D1013TR TD62001AFG

描述 高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYSTMICROELECTRONICS  ULN2001D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOICSOP NPN 50V 0.5A

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 接口芯片双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 16 -

封装 SOIC SOIC-16 SOP

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 500 mA -

输出接口数 - 7 -

针脚数 - 16 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 -

输出电流(Max) - 500 mA -

直流电流增益(hFE) - 1000 -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -20 ℃ -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm -

封装 SOIC SOIC-16 SOP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -