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CY7C1024DV33-10BGXI、CY7C1024DV33-10BGXIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1024DV33-10BGXI CY7C1024DV33-10BGXIT

描述 3兆位( 128K ×24 )静态RAM 3-Mbit (128K X 24) Static RAMSRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24Bit 10ns 119Pin BGA T/R

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 119

封装 BGA-119 BGA-119

位数 24 24

存取时间 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V

封装 BGA-119 BGA-119

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.b -