IRF7307QTRPBF、IRF7307TRPBF、FDS8928A对比区别

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型号 IRF7307QTRPBF IRF7307TRPBF FDS8928A

描述 SOIC N+P 20V 5.2A/4.3AINFINEON  IRF7307TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8928A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 670 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 1.4 W -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 50 mΩ 0.05 Ω 0.025 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 - 700 mV 670 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30V, 20V

连续漏极电流(Ids) 5.20 A 5.7A/4.7A 5.50 A

输入电容(Ciss) 660pF @15V(Vds) 660pF @15V(Vds) 900pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W -

通道数 2 - -

产品系列 IRF7307Q - -

漏源击穿电压 20 V - 30.0 V

额定电流 - - 5.50 A

输入电容 - - 1.13 nF

栅电荷 - - 20.0 nC

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

上升时间 - - 23.0 ns

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99