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APT8020LLL、APT8020LLLG、APT8024LFLL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8020LLL APT8020LLLG APT8024LFLL

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) TO-264Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) TO-264功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-264 TO-264 TO-264

额定电压(DC) - 800 V -

额定电流 - 38.0 A -

耗散功率 - 694 W -

输入电容 - 5.20 nF -

栅电荷 - 195 nC -

漏源极电压(Vds) - 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) - 38.0 A 31A

上升时间 14 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) -

下降时间 9 ns 9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 694000 mW 694000 mW -

极性 - - N-CH

封装 TO-264 TO-264 TO-264

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -