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X28HC64S-12、X28HC64S-12T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 X28HC64S-12 X28HC64S-12T1

描述 64K (8K x 8Bit) 5V, byte alterable E2PROMEEPROM 8K X 8,CMOS EEPROM,SDP,28 SOIC,COM.,120NS, T & R

数据手册 --

制造商 Xicor Intersil (英特矽尔)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 28 -

封装 SOIC SOIC

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 120 GHz -

存取时间 120 ns 120 ns

内存容量 64000 B -

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压(Max) - 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V

封装 SOIC SOIC

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -