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STU90N4F3、STU95N4F3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STU90N4F3 STU95N4F3

描述 N沟道40V - 5.4米ヘ - 80A - DPAK - TO- 220 - IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET⑩ Power MOSFETN沟道40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO- 220 - IPAK的STripFET TM功率MOSFET N-channel 40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET TM Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-CH -

耗散功率 110 W 110W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A -

上升时间 60 ns -

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc)

长度 6.6 mm -

宽度 2.4 mm -

高度 6.2 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free