IPD090N03L G、IPD090N03LGATMA1、IRLR8721PBF对比区别

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型号 IPD090N03L G IPD090N03LGATMA1 IRLR8721PBF

描述 INFINEON  IPD090N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 VINFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 VINFINEON  IRLR8721PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 8.4 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0075 Ω 0.0075 Ω 0.0084 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 42 W 42 W 65 W

阈值电压 2.2 V 2.2 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 40A 65A

上升时间 3 ns - 30 ns

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds) 1030pF @15V(Vds)

下降时间 2.6 ns - 6.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 42000 mW 42W (Tc) 65W (Tc)

额定功率 - 42 W -

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 30 V - -

额定功率(Max) 42 W - -

长度 6.5 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -