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CY62148DV30L-55BVI、CY62148EV30LL-45BVXI、CY62148EV30LL-45BVI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62148DV30L-55BVI CY62148EV30LL-45BVXI CY62148EV30LL-45BVI

描述 4 -MB ( 512K ×8 )的MoBL静态RAM 4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAMCY62148EV30 系列 4 Mb (512 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-36CY62148EV30 系列 4 Mb (512 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-36

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 VFBGA VFBGA-36 VFBGA-36

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 36 36

封装 VFBGA VFBGA-36 VFBGA-36

长度 - 8 mm -

宽度 - 6 mm -

高度 - 0.21 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tray Tray

频率 - 1 MHz -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

针脚数 - 36 -

时钟频率 - 1 MHz -

位数 - 8 8

存取时间 - 45 ns 45 ns

内存容量 - 500000 B -

存取时间(Max) - 45 ns 45 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

供电电流 - - 20 mA

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.2 V

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -