IRFR120NTRLPBF、IRFR120NTRRPBF、IRFR120NTRL对比区别

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型号 IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRRPBF IRFR120NTRL

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 100V 9.4ATrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3Pin (2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 9.40 A

极性 N-Channel N-CH N-Channel

产品系列 - - IRFR120N

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 9.4A 9.4A 9.40 A

上升时间 23 ns - 23.0 ns

耗散功率 48 W 48W (Tc) -

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 48 W 48W (Tc) -

额定功率 39 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.21 Ω - -

阈值电压 4 V - -

下降时间 23 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -