BLF6G10LS-200RN、BLF6G10LS-200R,118、BLF6G10LS-200,112对比区别

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型号 BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200,112

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502B T/RIC BASESTATION FINAL SOT502B

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

封装 SOT-502 SOT502B SOT-502

输出功率 40 W - 40 W

工作温度(Max) 225 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

频率 - - 871.5 MHz

增益 - - 20.2 dB

测试电流 - - 1.4 A

额定电压 - - 65 V

封装 SOT-502 SOT502B SOT-502

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free