SI4936ADY、SI4936ADY-T1-GE3、SI4936ADY-T1-E3对比区别

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型号 SI4936ADY SI4936ADY-T1-GE3 SI4936ADY-T1-E3

描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8Pin SOIC N T/RMOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.032Ω; ID 4.4A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SO SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

额定功率(Max) - 1.1 W 1.1 W

漏源极电阻 36.0 mΩ - 0.053 Ω

耗散功率 1.10 W - 1.1 W

漏源击穿电压 30.0 V - 30 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

极性 N-Channel, Dual N-Channel - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.90 A - -

上升时间 14.0 ns - -

封装 SO SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

高度 - - 1.55 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free