锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TISP61511DR、TISP61511DR-S、TISP61521DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TISP61511DR TISP61511DR-S TISP61521DR

描述 双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 晶闸管晶闸管晶闸管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO SOIC-8 SO-8

引脚数 - 8 -

保持电流 150 mA 150 mA -

保持电流(Max) - 150mA (Min) 150 mA

工作温度(Max) - 85 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

额定电流 - - 150 mA

封装 SO SOIC-8 SO-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.55 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free