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BZV55-B51,115、BZV55-C51,135、1N5262B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B51,115 BZV55-C51,135 1N5262B

描述 DIODE ZENER 51V 0.5W(1/2W) SOD80CMini-MELF 51V 0.5W(1/2W)Zener Diode 51V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 Case

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) NTE Electronics

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 - -

封装 SOD-80 Mini-MELF -

电容 40 pF - -

容差 ±2 % ±5 % -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

耗散功率 0.5 W 500 mW -

测试电流 2 mA - -

稳压值 51 V 51 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

封装 SOD-80 Mini-MELF -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 46.9 mV/K - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -