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CY62126DV30L-55ZSXE、CY62126DV30LL-55ZXIT、IS62WV6416BLL-55TI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62126DV30L-55ZSXE CY62126DV30LL-55ZXIT IS62WV6416BLL-55TI

描述 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAMSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 44Pin TSOP-II T/RIC SRAM 1Mbit 55NS 44TSOP

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TSOP-44 TSOP TSOP-44

存取时间 55 ns - 55.0 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 2.2V ~ 3.6V - 2.5V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

内存容量 - - 1000000 B

封装 TSOP-44 TSOP TSOP-44

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free