HAT2173H-EL-E、PSMN028-100YS,115、PSMN016-100YS,115对比区别

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型号 HAT2173H-EL-E PSMN028-100YS,115 PSMN016-100YS,115

描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 100V 42ALFPAK N-CH 100V 51A

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

引脚数 5 4 -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 89 W 117 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 25A 42A 51A

上升时间 15 ns 14 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 4350pF @10V(Vds) 1634pF @50V(Vds) 2744pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 89 W 117 W

下降时间 5.7 ns 12 ns 21 ns

耗散功率(Max) 30W (Tc) 89W (Tc) 117W (Tc)

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free