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BC327-40ZL1G、BC32725TA、BC32716TA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC327-40ZL1G BC32725TA BC32716TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC327-40ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 260 MHz, 1.5 W, -800 mA, 250 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32725TA  双极性晶体管, PNP, 50V, 800mA, TO-92FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32716TA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 260 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -50.0 V -45.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -800 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1.5 W 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 630 630

额定功率(Max) 1.5 W 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 250 100 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW 625 mW 625 mW

增益频宽积 260 MHz - -

长度 5.2 mm 5.2 mm 4.58 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 3.86 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 4.58 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape Each Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99