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J309、J309G、J309-AMMO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J309 J309G J309-AMMO

描述 IC SWITCH RF N-CH 25V 10mA TO-92JFET VHF / UHF放大器N沟道 - 耗尽 JFET VHF/UHF Amplifiers N-Channel - DepletionTRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, FET RF Small Signal

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

频率 450 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 30 mA 10.0 mA -

击穿电压 -25.0 V - -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 625 mW - -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 25.0 V -

漏源击穿电压 25 V - -

栅源击穿电压 25 V 25.0 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA - -

增益 12 dB 16 dB -

测试电流 10 mA 10 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

额定电压 25 V 25 V -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -