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JAN1N5531D-1、JANTX1N5531D-1、JANTXV1N5531D-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5531D-1 JANTX1N5531D-1 JANTXV1N5531D-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35-2

引脚数 - 2 -

容差 ±1 % ±1 % ±1 %

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA 1.1V @200mA

稳压值 11 V 11 V 11 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

耗散功率 - 0.5 W -

测试电流 - 1 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 5.08 mm - 5.08 mm

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35-2

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准