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KM44C4005CK-6、KM44C4103CK-6、TC5117440BSJ-60对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KM44C4005CK-6 KM44C4103CK-6 TC5117440BSJ-60

描述 4M x 4Bit CMOS quad CAS DRAM with extended data out, 60ns4M x 4Bit CMOS quad CAS DRAM with fast page mode, 5V, 60nsIC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Dynamic RAM

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Samsung (三星) Toshiba (东芝)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 SOJ - SOJ

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 28 -

封装 SOJ - SOJ

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -