IPI80N06S208AKSA1、IPI80N06S208AKSA2对比区别

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型号 IPI80N06S208AKSA1 IPI80N06S208AKSA2

描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S208AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装N-CH 55V 80A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-262-3 TO-262-3

通道数 1 -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 215W (Tc) 215W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 2860pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 215W (Tc) 215W (Tc)

长度 10.2 mm 10.2 mm

宽度 4.5 mm 4.5 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free