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TC59LM818DMB-33、TC59LM818DMG-33、K4C89183AF-AIF50对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TC59LM818DMB-33 TC59LM818DMG-33 K4C89183AF-AIF50

描述 DRAM Chip DDR FCRAM 288Mbit 16Mx18 2.5V 60Pin BGAMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) Samsung (三星)

分类

基础参数对比

封装 TBGA TBGA TBGA

安装方式 Surface Mount - -

封装 TBGA TBGA TBGA

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

香港进出口证 NLR - -