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NTD25P03L1、NTD25P03LT4G、STD25P03LT4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD25P03L1 NTD25P03LT4G STD25P03LT4G

描述 功率MOSFET -25安培,伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 VoltON SEMICONDUCTOR  NTD25P03LT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAKTrans MOSFET P-CH 30V 25A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -25.0 A -25.0 A -

漏源极电阻 51.0 mΩ 0.056 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 75 W 75 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A -

上升时间 37.0 ns 37 ns -

输入电容(Ciss) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 75 W 75 W -

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 75 W -

下降时间 - 16 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 30 V

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99