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BZV55-C39、BZV55-C39,115、MMBT2222A,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C39 BZV55-C39,115 MMBT2222A,215

描述 NXP  BZV55-C39  单管二极管 齐纳, 39 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CNexperia BZV55-C39,115 单路 齐纳二极管, 39V 5% 500 mW, 2引脚 SOD-80C封装NXP  MMBT2222A,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 40 V, 300 MHz, 250 mW, 600 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 3

封装 SOD-80 SOD-80 SOT-23-3

针脚数 2 2 3

耗散功率 500 mW 500 mW 250 mW

稳压值 39 V 39 V -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 250 mW

频率 - - 300 MHz

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 40 V

集电极最大允许电流 - - 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 500 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - - 100

电容 - 45 pF -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 - 2 mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

高度 3.7 mm 3.7 mm 1 mm

封装 SOD-80 SOD-80 SOT-23-3

长度 - 3.5 mm 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

温度系数 34.8 mV/℃ 34.8 mV/K -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17