STL140N4LLF5、STSJ50NH3LL、BSC057N03LSGATMA1对比区别
型号 STL140N4LLF5 STSJ50NH3LL BSC057N03LSGATMA1
描述 N 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道30V - 0.008ohm - 12A - PowerSO - 8超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.008ohm - 12A - PowerSO-8 Ultra low gate charge STripFET Power MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 PowerFLAT-5x6-8 SOIC-8 PG-TDSON-8
引脚数 8 - 8
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 50.0 A -
漏源极电阻 0.0021 Ω 8.00 mΩ 0.0048 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 3W (Ta), 50W (Tc) 45 W
输入电容 - 965 pF 1800 pF
栅电荷 - 9.00 nC -
漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 40 V 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 140A 12.0 A 17A
上升时间 29 ns 32.0 ns 3.6 ns
输入电容(Ciss) 5900pF @25V(Vds) 965pF @25V(Vds) 1800pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 4 W 3 W -
耗散功率(Max) 80W (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
额定功率 - - 45 W
针脚数 - - 8
阈值电压 1 V - 1 V
下降时间 21 ns - 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
通道数 1 - -
封装 PowerFLAT-5x6-8 SOIC-8 PG-TDSON-8
长度 4.75 mm - 5.49 mm
宽度 5.75 mm - 5.49 mm
高度 0.88 mm - 1.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -