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H5TQ2G83DFR-H9C、MT41K256M8DA-107:K、MT41K256M8HX-15E:D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 H5TQ2G83DFR-H9C MT41K256M8DA-107:K MT41K256M8HX-15E:D

描述 DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.5V 87Pin FBGADRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78Pin FBGADRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 SK Hynix (海力士) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 78 78

封装 - FBGA-78 FBGA-78

工作电压 - 1.35 V 1.35 V

位数 - 8 8

工作温度(Max) - 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V

供电电流 - 108 mA -

存取时间 - 20 ns -

封装 - FBGA-78 FBGA-78

工作温度 - 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 - Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅