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GI850-E3/54、SB350、SB350-E3/73对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GI850-E3/54 SB350 SB350-E3/73

描述 DIODE 3A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier DiodeDiode: Schottky rectifying; 50V; 3A; DO201; single diode; Ifsm: 87ADIODE 3A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Diotec Semiconductor Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 -

封装 DO-201AD DO-201 DO-201AD

正向电压 1.25V @3A 0.7 V 680mV @3A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ 65 ℃

反向恢复时间 200 ns - -

正向电流 - - 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 120 A

正向电压(Max) - - 680mV @3A

封装 DO-201AD DO-201 DO-201AD

长度 - - 9.5 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 5.3 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - 65℃ ~ 150℃